SNOOKERPRO ru
» » График температура и сопротивление

График температура и сопротивление

Категория : Музыка

Чернозёмы распространены в Молдавии, на Украине.


Зависимость сопротивления проводника от температуры

В том же направлении она суживается: Чернозёмы распространены в Монголии и Китае. Очень плодородны и практически полностью распаханы. Для чернозёмов Украины характерны мощные гумусовые горизонты и невысокое содержание гумуса в верхней части почвенного профиля, для чернозёмов Поволжья и особенно Приуралья — значительно меньшие мощности гумусовых горизонтов и более высокое накопление гумуса в верхних слоях.

Их профиль резко расчленён, средние и нижние иллювиальные горизонты обогащены илом, верхние элювиальные — обеднены им. Достаточная влажность, хорошая отзывчивость на удобрения позволяют широко использовать подзолистые почвы в земледелии для выращивания зерновых, кормовых, овощных и других сельскохозяйственных культур. Это основные пахотные почвы Нечернозёмной зоны. Серые лесные почвы широко распространены в зоне лиственных преимущественно широколиственных лесов.

В них сочетаются особенности подзолистых почв и степных чернозёмных почв. Плодородны, широко используются в земледелии для возделывания зерновых, кормовых, овощных, технических и других сельскохозяйственных культур. Бурые лесные почвы формируются под широколиственными, а также южными хвойными лесами Карпаты, Крым, Кавказ, юг Дальнего Востока на богатых, часто щебнистых материнских породах.

Хорошо отзываются на удобрения, используются в земледелии. Дерново-карбонатные почвы формируются под лесами на материнских породах, богатых карбонатами наиболее крупные массивы в Прибалтике, Ленинградской, Новгородской, Пермской области.

Широко используются в земледелии. Желтозёмы формируются под влажными субтропическими лесами Западное Закавказье и Ленкоранская низменность. Используются в земледелии для выращивания субтропических культур чая, тунга и др. Требуют известкования и внесения удобрений. На краснозёмах возделывают субтропические культуры, нуждаются в известковании и удобрениях. Мерзлотно-таёжные почвы — господствуют в обширных регионах Средней и Восточной Сибири. Более сухие мелкозёмистые почвы приурочены к замкнутым пониженным равнинам и котловинам — Якутской с палевыми почвами, Минусинской, Канской с чернозёмами и др.

Щебнистые почвы характерны для Казахстана. На территории России зона чернозёмов практически полностью совпадает с распространением русского языка см. А ещё ниже расположены пустыни: Анализ условий жизни возможных очагов цивилизации Земледелие зародилось в середине каменного века в мезолите. Человек начал обрабатывать почву самыми простыми орудиями — деревянными или деревянными с каменными наконечниками.

Остатки такого первобытного земледелия обнаружены в различных частях земного шара, кроме Австралии. При мотыжном земледелии использовалась мускульная сила человека.

Пашенное плужное земледелие возникло позднее, когда уже было известно производство металлических орудий и использовалась живая тягловая сила на базе развитого скотоводства. Пашенное земледелие было распространено в Азии, Европе и на севере Африки. Приведем данные о некоторых основных сельскохозяйственных культурах. Пшеница — однолетнее и двухлетнее растение. Общий ареал охватывает все континенты земного шара.

Пшеница — преимущественно степная культура. В Европе она занимает главным образом зоны степи и лесостепи. Пшеницу выращивают также в предгорных и горных районах её посевы встречаются на высоте до 4 тыс. Озимая пшеница имеет два периода активной вегетации: Яровая — имеет вегетационный период 70 — сут. В самых холодных их частях культура ограничена районами, где в год выпадает — мм осадков, а в самых жарких — где их годовое количество не выходит за пределы — мм.

Оптимальный урожай созревает при — мм осадков в год и сезонном их распределении. Яровую пшеницу сеют с марта по май в зависимости от местных условий [, ]. Рожь — активная вегетация озимой продолжается — сут. Рожь в меньшей степени чувствительна к кислотности почвы. Хорошо растет при pH 5,3 — 6,5. Поэтому её можно выращивать на малопригодных для пшеницы подзолистых почвах. Но лучшими являются плодородные структурные чернозёмы и серые лесные почвы среднего и легкого суглинистого механического состава.



температура и сопротивление график


Плохо растёт на тяжелых глинах, заболоченных, засоленных почвах. Рожь более зимостойкая, чем другие озимые хлеба. Рожь более неприхотливая и выносливая, чем пшеница.

Начало возделывания ржи относится к 1 — 2-му тысячелетию до н.



и график сопротивление температура


Ячмень — вегетационный период ярового 55 — сут. Это самая скороспелая зерновая культура. Ячмень хорошо удаётся на плодородных суглинистых почвах с нейтральной реакцией. Вегетационный период — 60 — 85 сут.

Наиболее пригодные почвы для выращивания репы — супесчаные и суглинистые с нейтральной и слабокислой реакцией; удовлетворительно переносит повышенную кислотность почвы.


Электричество

Гречиха имеет вегетационный период от 60 до суток. Лучшие почвы для — чернозёмы и окультуренные торфяники. Просо имеет вегетационный период 60 — сут. Растение теплолюбиво, засухоустойчиво, жаростойко, солеустойчиво, не выносит кислых почв. Просо посевное — древнейшее культурное растение в диком состоянии не встречается. Горох имеет вегетационный период 45 — сут.

Лучшие почвы — суглинистые с достаточной аэрацией и слабокислой или нейтральной реакцией. Овёс — отечеством его считается страна, простирающаяся от нижнего течения Дуная в Венгрии и далее на юго-восток до Кавказа включительно; хотя за Кавказом его мало разводят. Овёс на почву неприхотлив и родится на всякой, исключая излишне песчаную и известковую. Произрастает до полярного круга. Конопля — выращивается для получения волокна преимущественно в России, Индии, странах Западной Европы.

Имеет вегетационный период 65 — 70 у северной до — у южной сут. Конопля очень требовательна к почвенной влаге, особенно в период бутонизации и цветения. Лучшие почвы — чернозёмы и осушенные торфяники. Для определения возможности зарождения производящего человеческого общества рассмотрим данные областей центральной части русской равнины и аналогичные данные областей Египта, Месопотамии, Греции и др.

Центральные области Русской равнины Владимирская область — область в центральной части Русской равнины с поверхностью в виде слабовсхолмлённой равнины. Владимирская область целиком расположена в бассейне Волги. Площадь — 29 тыс.

Население — ,6 тыс. Плотность населения — 50,8 чел. Наиболее плотно заселены северо-западные и восточные районы, прилегающие с севера к Клязьме и с запада к Оке. Редко заселены районы Мещёрской низменности и других низин. Осадки — — мм в год.



и сопротивление температура график


Продолжительность вегетационного периода — — дней. По восточной окраине проходит нижнее течение Оки, с запада на восток протекает Клязьма с притоками Шерна, Пекша, Нерль и др. Общая гладь поверхностных вод составляет 32,9 тыс. Общее количество больших и малых рек доходит до , а общая протяжённость — более 8,6 тыс. В Мещёрской низменности имеется коло озёр общей площадью в 5 тыс. Имеются озёра древних аллювиальных долин: Исихры, Святое и др. Озёра карстового происхождения, расположенные в низовьях Клязьмы и в центре округа Вязники северо-восток области , связаны с собой подземными водотоками.

Наиболее крупное и глубокое из них — озеро Кшара. Встречаются озёра ледникового происхождения. Основные массивы болот имеют общую площадь 37,4 тыс. Преобладают лёгкие супесчаные почвы различного механического состава.

На Мещёрской низменности и в других низинах развиты дерново-слабоподзолистые песчаные и болотные почвы. Во Владимирском Ополье — серые лесные и дерново-тёмноцветные почвы на покровных суглинках. В долинах Оки и Клязьмы — дерновые аллювиальные почвы.

Типичны смешанные лиственно-хвойные леса. В поймах рек, особенно Оки и Клязьмы, заливные, на водоразделах — суходольные и низинные луга. Брянская область — область в западной части Русской равнины к юго-западу от Москвы, на границе с Украиной и Белоруссией. Брянская область занимает среднюю часть бассейна Десны и лесистый водораздел между Десной и Окой.

Поверхность — равнина, сочетаются возвышенные, сильно расчленённые эрозионные равнины высотой — м западная часть Среднерусской и южная часть Смоленской возвышенностей и плоские моренно-зандровые равнины Приднепровской низменности. Площадь — 34,9 тыс. Наиболее плотно заселены северо-восточные районы, а также ополья с плодородными почвами. Схема омметра представлена на рис. Она отличается от последовательной схемы на рис. Поэтому при свободных входных зажимах 1 и 2, т.

При подключении резистора Rx последний шунтирует измеритель, уменьшая ток в его цепи. Необходимые значения сопротивлений Rд и Rм находятся по формулам 6 и 7.


Газодинамика классического камина

Параллельная параллельно - последовательная схема омметра. Следовательно, и здесь середине шкалы соответствует измеряемое сопротивление, равное входному. Эта шкала точно такая же, как у омметров с последовательной схемой измерения, но расположена она в обратном направлении.

Развёрнутая шкала параллельных схем омметров. Это вызывает некоторое изменение входного сопротивления омметра. Возникающая дополнительная погрешность в отличие от последовательных схем будет значительно меньше при включении регулятора R последовательно в цепь питания, чем при параллельном подключении его к измерителю.

Минимальное сопротивление Rом, которое может быть получено при параллельной схеме, определяется максимально допустимым значением тока источника и при использовании аккумуляторных батарей большого заряда или низковольтных мощных выпрямителей в сетевых омметрах может достигать тысячных долей ома и менее. В таких омметрах приходится учитывать сопротивление проводников, соединяющих цепь измерителя с объектом измерений.

Эти соединения выполняются толстым проводом возможно меньшей длины. Для уменьшения переходных сопротивлений выходные зажимы 1 и 2 делают массивными, а выводы омметра снабжаются толстыми, заострёнными на конце металлическими щупами.

При прочих равных условиях такой измеритель обеспечивает более высокую точность измерений и меньший расходный ток в цепи питания. Точность измерений также повышается с увеличением напряжения питания, так как при этом возрастает необходимое сопротивление резистора Rд, что уменьшает зависимость входного сопротивления от напряжения источника.

Омметры, диапазон измерений которых должен охватывать и малые и большие сопротивления, строятся по параллельно-последовательной комбинированной схеме, примером которой может служить та же схема на рис. Малые сопротивления подключаются параллельно измерителю к зажимам 1 и 2 , а большие - последовательно в цепь питания через зажимы 3 и 4 при разомкнутом выключателе В. Для отсчёта значений Rx необходимы две шкалы, аналогичные представленным на рис.

Рассчитать параллельную схему омметра рис. Омметры с логометрическими измерителями Логометры, применяемые в схемах омметров мегомметров , представляют собой магнитоэлектрические измерители с двумя рамками, расположенными под углом друг к другу и укреплёнными на одной оси со стрелкой рис.

Ток к рамкам подводится с помощью гибких ленточек, практически не создающих противодействия повороту рамок. Поэтому при отсутствии тока в рамках подвижная часть находится в состоянии безразличного равновесия. В зазоре между полюсными наконечниками и сердечником создаётся неравномерное магнитное поле вследствие применения, например, сердечника с эллиптической формой сечения. Цепи обеих рамок подключают к общему источнику питания.

Через рамки текут токи I1 и I2, магнитные поля которых, взаимодействуя с полем постоянного магнита, создают вращающие моменты противоположных направлений. Подвижная часть устанавливается в такое положение, при котором встречные вращающие моменты рамок равны. Поэтому приборы с логометрическими измерителями не требуют предварительной установки нуля и их показания не зависят от напряжения питания при его изменении в достаточно широких пределах.

Схема омметра с логометрическим измерителем Большие сопротивления измеряются по последовательной схеме, при включении объекта измерений в цепь одной из рамок через зажимы 1 и 2.

Относительно малые сопротивления измеряются по параллельной схеме, для чего объект измерений через зажимы 2 и 3 при замкнутых зажимах 1 и 2 включается параллельно цепи одной из рамок измерителя.

Электронные омметры и мегомметры Любой электронный вольтметр постоянного тока может быть применён для измерения электрических сопротивлений средних и больших значений. Для этого вольтметр дополняется измерительной схемой, создающей на его входе постоянное напряжение, уровень которого зависит от соотношения между измеряемым сопротивлением Rx и опорным сопротивлением Ro. Электронный омметр можно выполнить на основе одного из двух вариантов, поясняемых схемами на рис.

В обоих случаях во входной цепи прибора необходимо включить источник постоянного напряжения U0, равного или близкого предельному напряжению Uп, измеряемому вольтметром; резисторы Ro и Rx образуют делитель этого напряжения. При входной цепи, выполненной по схеме на рис. Схемы компоновки электронных омметров и мегомметров При втором варианте входной цепи рис.

Таким образом, предел измерений электронного омметра определяется сопротивлением резистора Ro. Это позволяет построить многопредельный электронный омметр, в котором изменение пределов осуществляется переключением резисторов Ro различных номиналов. Чаще всего сопротивления резисторов Ro смежных пределов различаются в 10 раз, что позволяет использовать для отсчёта общую шкалу с десятичными множителями к ней. Наименьший предел измерений ограничивается возрастанием тока, потребляемого от источника напряжения U0 при малом Ro, а также влиянием внутреннего сопротивления источника.

Наибольший предел измерений ограничивается входным сопротивлением вольтметрового компонента, которое должно быть больше сопротивления Ro, по крайней мере, в раз. Поэтому электронные омметры, имеющие высокоомные пределы измерений, базируются на вольтметрах, у которых входной каскад выполнен на лампе, работающей без тока в цепи управляющей сетки, либо представляет собой балансный истоковый повторитель на полевых транзисторах. При монтаже входных зажимов на высококачественном изоляционном материале, применении переключателей с керамическими платами и аккуратном выполнении монтажа удаётся осуществить измерение сопротивлений до МОм и более, но для этого необходимо иметь сопротивление Ro примерно МОм.

Трудность подбора достаточно точных и стабильных резисторов Ro большого сопротивления препятствует расширению предела измерений. В электронных приборах промышленного изготовления тераомметрах специальными приёмами достигается измерение сопротивлений до МОм.

Для измерения сопротивлений удобно использовать вольтметровые компоненты с пределом измерения 1, Но при измерении очень больших сопротивлений, например сопротивления изоляции, работа при низком напряжении U0 не всегда целесообразна, поскольку значение этих сопротивлений существенно зависит от приложенного к ним напряжения, уменьшаясь с возрастанием последнего. Изменение больших сопротивлений в основном наблюдается до напряжений примерно В.



и график сопротивление температура


Для получения такого или большего напряжения в зависимости от первичного источника питания используют стабилизированные выпрямители или преобразователи. На значение сопротивлений изоляции и утечки влияют внешние условия влажность, температура воздуха и др.

Поэтому условия испытания детали или цепи желательно приближать к действительным условиям её эксплуатации; отсчёт следует производить не ранее чем через 1 мин после подключения исследуемого объекта к входным зажимам.



График температура и сопротивление видеоролик




Структура электронного омметра мегомметра делает целесообразным его использование в качестве комбинированного прибора - многопредельного вольтомметра постоянного тока. Примером может служить схема вольтомметра постоянного тока, представленная на рисунке.

При этом в качестве источника напряжения U0 используется элемент Б2, а резисторы R1 - R3 входного делителя напряжения вольтметра в том или ином сочетании определяемом установкой переключателя пределов измерений В1 играют роль опорного резистора Ro. Если нарушение калибровки вольтметра нежелательно, то, добавив ещё одну секцию к переключателю В2, можно обеспечить включение в цепь измерителя И специального регулятора нуля омметра.

При наличии батареи питания, не имеющей отвода, необходимое напряжение U0 может быть получено с помощью делителя напряжения, включаемого параллельно батарее. В этом случае можно осуществлять установку нуля омметра посредством плавной регулировки напряжения U0.

Омметры с равномерной шкалой Основным недостатком омметров и мегомметров рассмотренных выше типов является резкая неравномерность их шкал, охватывающих несколько порядков значений измеряемых сопротивлений, и связанная с этим значительная погрешность измерений. Более высокая точность при некотором усложнении процесса измерений достигается в омметрах с равномерными линейными шкалами.

Для получения равномерной шкалы в омметрах используют либо метод сравнения измеряемого сопротивления Rx с сопротивлением опорного резистора, либо метод измерения падения напряжения на резисторе Rx, создаваемого током фиксированного уровня. Схема омметра с равномерной шкалой и параллельным соединением резисторов Rx и Rп Метод сравнения может быть реализован в двух вариантах. Схема первого варианта рис. Соответствующим выбором сопротивления Rп можно обеспечить непосредственный отсчёт Rx по имеющейся шкале измерителя с использованием множителя к ней, кратного Например, при шкале измерителя с отметками от 0 до 30 желательно выбирать сопротивления Rп из ряда значений 3, 30, Ом кОм, МОм.

При выбранном измерителе наименьший предел измерений омметра Rп. Отсюда видно, что для измерения больших сопротивлений необходим высоковольтный источник питания. При известных пределах изменения напряжения питания Uм - Uн необходимые сопротивления добавочного резистора Rд и реостата R определяются формулами: Схема омметра с равномерной шкалой и последовательным соединением резисторов Rx и Rп.

Второй вариант метода сравнения представлен на рис. Сравнение сопротивлений Rx и Rп производится по размеру падений напряжений Ux и Uп, создаваемых на них одним и тем же током I источника питания.

Изменение пределов измерений омметра производится переключением резисторов Rп различных номиналов.


Зависимость сопротивления от температуры, формула

Рассматриваемая схема омметра обладает двумя замечательными особенностями: Недостатком омметров, действующих методом сравнения, является то, что измерению каждого нового значения сопротивления Rx должна предшествовать установка стрелки измерителя на конечное деление шкалы. В этом отношении более удобны омметры, в измерительной цепи которых создаётся фиксированный ток.

Схема омметра с равномерной шкалой и резистивной фиксацией уровня тока Простейший, но довольно эффективный способ фиксации уровня тока, иллюстрируемый схемой на рис. Падение напряжения на резисторе Rx фиксируется электронным вольтметром постоянного тока V с большим входным сопротивлением Rв. Отсчёт по этой шкале может производиться непосредственно в значениях Rx.

Из последней формулы следует: С этой точки зрения желательно использование в омметре источника питания возможно большего напряжения и вольтметрового компонента высокой чувствительности, чтобы указанные отношения были, по крайней мере, не менее Омметр рассматриваемого вида может быть выполнен как многопредельный с переключаемыми резисторами Ro различных номиналов. Входное сопротивление вольтметрового компонента Rв ограничивает максимальный предел измеряемых сопротивлений условием Rп.

При выполнении входного каскада по схеме истокового повторителя удаётся повысить допустимое значение Rп. Поэтому измерение производят лишь после подключения к входным зажимам резистора Rx при кратковременном нажатии кнопки Кн1.

Если порядок сопротивления Rx неизвестен, то первоначально устанавливают наиболее высокоомный предел измерений. Защиту входа вольтметра от перегрузок можно также обеспечить с помощью стабилитрона см.

Если напряжение U источника питания не стабилизировано, то перед началом измерений следует выполнять калибровку прибора. Схема омметра с равномерной шкалой и транзисторным стабилизатором тока. Омметры с равномерной шкалой могут быть выполнены на базе транзисторного стабилизатора тока. Транзистор Т, коллекторной нагрузкой которого является резистор Rх, включён по схеме с общей базой.

Поэтому его коллекторный ток практически не зависит от напряжения на коллекторе, а следовательно, и от сопротивления нагрузки при их изменении в широких пределах.



температура и сопротивление график


Стабилизированное напряжение, падающее на стабилитроне Д, создаёт ток эмиттера, который может принимать определённые фиксированные уровни, например, равные 10, и мкА, в зависимости от значения сопротивления включённого в цепь эмиттера резистора R1 - R3. При выборе транзистора с высоким коэффициентом передачи тока Вст ток эмиттера почти полностью передаётся в цепь коллектора.

Очевидно, что различным фиксированным значениям коллекторного тока будут отвечать различные пределы измерения сопротивлений по одной и той же шкале вольтметра V. Чем выше напряжение источника, тем большим оказывается верхний предел измеряемых омметром сопротивлений, при котором ещё сохраняется стабилизация тока коллектора.

В книгах по электрическим аппаратам можно встретить подтверждение этому на фотографиях сделанных с помощью микроскопа. Действительная площадь спорикосновения во много раз меньше общей контактной поверхности. Из-за малой площади соприкосновения контакт представляет довольно значительное сопротивление для прохождения тока.

Сопротивление в месте перехода тока из одной контактной поверхности в другую называется переходным контактным сопротивлением. Сопротивление контакта всегда больше, чем сплошного проводника таких же размеров и формы. Переходное контактное сопротивление — это резкое увеличение активного сопротивления в месте перехода тока из одной детали в другую.

Его величина определяется по формуле, которая вываедена опытным путем в результате многочисленных исследований: Этот коэффициент может принимать значения от 0,5 до 1. Из уравнения также следует, что сопротивление контакта не зависит от размера контактных поверхностей и для контакта определяется прежде всего силой давления контактного нажатия.

Контактное нажатие — усилие, с которым одна контактная поверхность воздействует на другую. Число соприкосновений в контакте быстро растет при нажатии. Даже при небольших давлениях в контакте происходит пластическая деформация, вершины выступов сминаются и с увеличением давления все новые точки приходят в соприкосновение. Поэтому при создании контактных соединений применяют различные способы нажатия и скрепления проводников: Если два проводника соприкасаются в контакте, то число площадок и суммарная площадь соприкосновения будут зависеть от величины силы нажатия и от прочности материала контакта его временного сопротивления на смятие.

Переходное контактное сопротивление тем меньше, чем больше сила нажатия, так как от нее зависит действительная площадь соприкосновения. Однако давление в контакте целесообразно увеличивать только до некоторой определенной величины, потому что при малых значениях давления переходное сопротивление уменьшается быстро, а при больших — почти не изменяется.


Скачать

Год выпуска: 2012
Совместимость: Виндовс 8, 8.1,10, MacOS
Язык интерфейса: RU
Вес : 34.85 Мегабайт




Блок комментариев

Ваше имя:


Email:




  • © 2008-2018
    snookerpro.ru
    Написать нам | RSS записи | Карта сайта